IC điều khiển MOSFET half-bridge IR2153

IC điều khiển MOSFET half-bridge IR2153

IR2153D là phiên bản cải tiến của IC điều khiển IR2155 và IR2151 phổ biến, đồng thời kết hợp IC điều khiển qua chân gate half-bridge điện áp cao với bộ dao động là bộ định thời CMOS 555 tiêu chuẩn công nghiệp.

IC điều khiển MOSFET half-bridge IR2153

Cấu hình sơ đồ chân IR2153D

Cấu hình sơ đồ chân IR2153D

Số chân Tên chân Miêu tả
1 VCC Chân cấp nguồn cho các cổng logic và các cổng điều khiển bên trong
2 RT Đầu vào điện trở định thời bộ dao động
3 CT Đầu vào tụ điện định thời dao động
4 COM Chân nối mass
5 LO Đầu ra IC điều khiển cực gate low-side
6 VS Chân cấp điện áp cao
7 HO Đầu ra điều khiển cực gate high-side
8 VB Chân cấp tín hiệu floating điều khiển cực gate high-side

Tính năng & Thông số kỹ thuật

  • Tích hợp IC điều khiển cực gate half-bridge 600V
  • Diot Zener 15.6V trên Vcc
  • Khởi động bộ vi điều khiển
  • Tối ưu dead time chặt chẽ hơn
  • Tính năng tắt nguồn khi có tín hiệu điện áp =1/6 Vcc trên chân CT
  • Tăng độ trễ khóa điện áp khi thấp áp (1V)
  • Mạch thay đổi mức công suất thấp hơn
  • Độ rộng xung LO, HO không đổi khi khởi động
  • IC điều khiển gate có tỷ lệ di / dt thấp hơn để chống nhiễu tốt hơn
  • Đầu ra low-side cùng pha với RT
  • Diode bootstrap 50nsec bên trong (IR2153D)
  • Bảo vệ ESD trên tất cả các dây dẫn
  • Có package LEAD-FREE

IC tương tự IR2153

IR44272, IR44273, IR44252, IR2100, IR2122

Tổng quan điều khiển cực gate MOSFET IR2153

IR2153 là phiên bản cải tiến của IC điều khiển cổng IR2155 và IR2151 phổ biến. IR2153 cung cấp nhiều chức năng hơn và dễ sử dụng hơn các IC trước đó. Một tính năng tắt được thiết kế vào chân CT, để có thể tắt cả hai đầu ra của IC bằng cách sử dụng tín hiệu điều khiển điện áp thấp.

Ngoài ra, độ rộng xung đầu ra là bằng nhau khi đạt đến ngưỡng khóa điện áp thấp tăng trên VCC, do đó cấu hình tần số so với thời gian khi khởi động ổn định hơn.

Khả năng chống nhiễu đã được cải thiện đáng kể, bằng cách hạ thấp tỷ số di / dt đỉnh của IC và bằng cách tăng độ trễ khóa điện áp thấp lên 1V. Cuối cùng, đặc biệt chú ý đến việc tối đa hóa khả năng latch immunity của IC và khả năng bảo vệ ESD trên tất cả các chân.

Tổng quan điều khiển cực gate MOSFET IR2153 

Vì IC này là IC điều khiển gate half-bridge được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau như chuyển đổi nguồn DC-DC, Biến tần, IC điều khiển động cơ, sóng điện từ, IC điều khiển MOSFET high-side có thể sử dụng cho các ứng dụng rơ le bảo vệ phân phối điện và IC điều khiển động cơ.

Các tính năng cơ bản và thông số định mức của IC IR2153

IC có một số tính năng thú vị cần biết khi làm việc với vi mạch này. Điện áp nguồn cấp floating high-side tối đa 25V, điện áp bù nguồn floating high-side là 3V, chân RT và chân CT lần lượt là VCC + 0,3 Volts, và dòng điện áp dụng cho IC này là 25mA. Slew rate 50V / nS. Công suất tiêu tán tối đa cho vi mạch này là 1W. Nhiệt độ mối nối cho phép tối đa là 150 ° C.

Các tính năng cơ bản và thông số định mức của IC IR2153

Hình trên cho biết tần số khi sử dụng các giá trị RT và CT khác nhau.

Cách sử dụng IC điều khiển MOSFET IR2153

IC chủ yếu được sử dụng để điều khiển cực gate của MOSFET. Cần có IC điều khiển cổng MOSFET khi muốn bật tắt MOSFET với hiệu quả cực cao. Hình ảnh bên dưới cho thấy một sơ đồ cấu hình của IR2153

Cách sử dụng IC điều khiển MOSFET IR2153 

Các ứng dụng

  • Điều khiển thiết bị công nghiệp
  • Thiết bị kiểm tra tự động (ATE)
  • Điều khiển HVAC
  • Các thiết bị y tế
  • Internet of Things

Mô hình và kích thước 2D

Nếu đang thiết kế bảng mạch PCB hoặc bảng Perf với linh kiện này thì hình dưới đây được lấy trong datasheet cho biết loại package và kích thước của nó.

Mô hình và kích thước 2D

>>> 100+ Mã Sản Phẩm Dây Rút: https://mecsu.vn/san-pham/day-rut-nhua.5op

>>> 1000+ Mã Sản Phẩm Đầu Cosse: https://mecsu.vn/san-pham/dau-cosse.Q1j

>> Mời anh em xem thêm

Bài viết cùng chuyên mục

NHANH

NHANH

Vì Đổi mới liên tục nên Nhanh hơn

ĐÚNG

ĐÚNG

Coi trọng và ưu tiên việc làm Đúng

ĐỦ

ĐỦ

Tìm và mua Đủ Đơn hàng hơn

KỊP THỜI

KỊP THỜI

Hiệu suất tối ưu bởi Kịp Thời hơn